8英寸碳化硅衬底低缺陷生长与低损伤绿色精密加工关键技术

【需求背景】 山东天岳先进科技股份有限公司专注于宽禁带半导体碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品包括导电型、半绝缘型及P型碳化硅衬底，服务新能源汽车、光伏储能、通信及新兴电子应用。公司已实现高品质8英寸导电型衬底制备，并推出12英寸碳化硅衬底。 【需解决的主要技术难题】 1. 大尺寸PVT晶体生长中轴向/径向温度场及传质场耦合复杂，需降低微管、基面位错和堆垛层错等缺陷。 2. 衬底切割、减薄与CMP过程易引入亚表面损伤和应力，需实现低损伤、高去除率与高平坦度的协同优化。 3. 大尺寸衬底在线缺陷检测数据分散，需构建晶体—加工—检测—器件验证的质量追溯模型。 4. 抛光浆料、纯水和耗材消耗较高，需开发低环境负荷的浆料循环与资源回收工艺。 【期望实现的主要技术目标】 a. 建立8英寸SiC晶体多物理场仿真与热场优化方法，关键晶体缺陷密度较现有工艺降低≥30%。 b. 完成8英寸衬底低损伤加工工艺：TTV≤5 μm、翘曲≤30 μm、表面粗糙度Ra≤0.20 nm（目标值需结合客户规格确认）。 c. 建立面向缺陷图谱的智能分级与工艺闭环模型，关键质量异常识别准确率≥90%。 \*\*\*去除效率提升≥20%，抛光浆料循环利用率≥50%，形成中试验证线工艺包。 e. 输出不少于1套专利/标准化作业文件及面向功率器件客户的样片验证报告。 【技术需求】 ](https://www.kczg.org.cn/needs/index?type=1) — 采集元信息 — 需求单位：山东\*\*\*公司 所在地区：山东省 济南市 槐荫区 合作方式：委托开发 预算：¥500万 截止日期：2035-08-12 发布日期：2026-08-12 数据来源：科创中国 来源链接：https://www.kczg.org.cn/needs/detailThe?type=1&id=8423863