零死区流道设计优化

【需求背景】 在半导体湿法清洗、刻蚀及高纯化学品输送系统中，流道结构直接影响介质残留、颗粒附着与洁净度水平。传统阀门流道普遍存在结构死角、台阶突变、拐角滞留区等死区缺陷，易造成药液积液、杂质沉积、微生物滋生及交叉污染，不仅增加清洗排空难度，还会因残留液体持续腐蚀、颗粒脱落，导致晶圆表面污染、金属离子超标，严重影响芯片良率与器件可靠性。 随着先进制程对高洁净、零残留、快响应的要求不断提升，现有流道已无法满足严苛工艺标准。为彻底消除流体滞留死角，降低介质残留与污染风险，提高排空效率与工况稳定性，保障 Cu 互连等精密结构不受残液损伤，亟需开展零死区流道设计优化，通过结构重构、流场平顺化与内壁精细化处理，实现流道无滞留、低残留、高洁净运行，支撑高端半导体流体控制部件国产化与性能升级。 【需解决的主要技术难题】 解决阀体加工过程中易产生微划痕、内壁光洁度不足、结构残留风险高等技术难题；阀体采用等离子辅助烧结成型技术，避免传统机加工产生微划痕；配合电解抛光工艺实现内壁镜面效果，并通过 ISO21501 微粒子冲击测试验证可靠性。 【期望实现的主要技术目标】 针对湿法设备中残留液体易造成晶圆表面 Cu 互连结构损伤的问题，借鉴韩国 INNODIS 专利，采用倾斜式流道 + 球形腔室设计，实现流道倾角≥5°、内壁粗糙度 Ra≤0.4μm，保证液体残留率＜0.01μL/cm²，较传统设计残留量降低 90%。 【技术需求】 ](https://www.kczg.org.cn/needs/index?type=1) — 采集元信息 — 需求单位：科讯\*\*\*公司 所在地区：广东省 深圳市 龙岗区 合作方式：委托开发 预算：双方协商 截止日期：2028-06-15 发布日期：2026-04-21 数据来源：科创中国 来源链接：https://www.kczg.org.cn/needs/detailThe?type=1&id=8420618